Intel crea el dispositivo fotónico de silicio más rápido del mundo

(Empresas News) Científicos de Intel Corporation han alcanzado un notable adelanto, utilizando procesos de fabricación de silicio para crear un novedoso dispositivo tipo transistor, que puede codificar datos en un haz de luz.

La habilidad de construir un modulador fotónico (fibra óptica) veloz a partir de silicio estándar podría conducir a la obtención de conexiones de fibra óptica de ancho de banda elevado y de bajo costo entre computadoras, servidores y otros dispositivos electrónicos, y eventualmente en el interior de las computadoras.

Tal como informó Nature, los investigadores de Intel dividieron un rayo de luz en dos rayos separados al pasar a través del silicio, y luego utilizaron un novedoso dispositivo tipo transistor para golpear un rayo con una carga eléctrica, induciendo un "cambio de fase".Cuando se vuelven a combinar los dos rayos de luz el cambio de fase inducido entre los dos brazos hace que la luz que sale del chip se prenda y se apague a más de un gigahertz (un mil millones de bits de datos por segundo), 50 veces más rápido que lo que se haya construido antes sobre silicio.

Este patrón de luz encendida y apagada puede traducirse en los 1s y 0s necesarios para transmitir datos.

"Es un paso significativo hacia la construcción de dispositivos ópticos que mueven datos dentro de una computadora a la velocidad de la luz", dijo Patrick Gelsinger, vicepresidente senior y gerente de tecnología de Intel.

Hasta hoy la fabricación de dispositivos ópticos comerciales ha favorecido la creación de materiales caros y exóticos que requieren procesos de fabricación complejos, limitando de este modo su uso a aquellos mercados especializados como las redes WAN y las telecomunicaciones.

La fabricación por parte de Intel de un modulador óptico rápido basado en la tecnología de silicio con un desempeño superior a 1GHz demuestra lo viable del silicio estándar como material para ofrecer los beneficios de los dispositivos ópticos de ancho de banda elevado a una gama más extensa de aplicaciones de computación y comunicaciones.

El informe que contiene esta investigación fue publicado en Nature, Volumen 428 del 12 de febrero. Bajo el título: "Un modulador óptico de silicio de alta velocidad basado en un capacitor de semiconductor de metal óxido", fue escrito por Ansheng Liu, Richard Jones, Ling Liao, Dean Samara-Rubio, Doron Rubin, Oded Cohen, Remus Nicolaescu y Mario Paniccia del Grupo de Tecnología Corporativa de Intel.

Para acceder a una copia del mismo: www.intel.com/technology/sp